Mosfet canal N utilizado en el Área de inyección y fuente.. Gracias a su baja resistencia de conducción (Rds(on)), garantiza una menor disipación de energía y una mayor eficiencia energética. Su tiempo de respuesta rápido lo hace perfecto para aplicaciones de alta frecuencia. Compatible con lógica TTL y controlable directamente desde microcontroladores.
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ – Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ – Voltaje máximo drenador – fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ – Voltaje máximo fuente – puerta: 20 V
|Id|ⓘ – Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ – Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ – Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
Qgⓘ – Carga de la puerta: 11 nC
trⓘ – Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ – Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ – Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252